G3VM-□1BR□、□1ER□(高容量&低导通电阻型)
+
  • G3VM-□1BR□、□1ER□(高容量&低导通电阻型)

G3VM-□1BR□、□1ER□(高容量&低导通电阻型)

DIP6针封装,实现与机械式继电器相当的低导 通电阻、高容量开关的MOS FET继电器 • 负载电压 20V/30V/40V/60V/100V • 20V产品:连续负载电流(最大) 4A(8A) • 30V产品:连续负载电流(最大) 5A(10A) • 40V产品:连续负载电流(最大) 3.5A(7A) • 60V产品:连续负载电流(最大)4A(8A) • 100V产品:连续负载电流(最大) 3.5A(7A)

所属分类:

关键词:

  • 产品详情
产品详情 技术参考 技术参考

相关下载


此网页提供了产品规格书。有关详细信息,请参阅产品规格书及其他相关文件。 可以从“型号一览”中确认带有 CAD 数据的型号。

商品目录


数据类型

文件名

更新日期

型号一览


刊载了各型号的相关信息。CAD数据、生产状态

型号

2D CAD

3D CAD

ECAD

RoHS证书

生产状况

G3VM-101ER1

2D:

3D:

3D:

3D:

生产中

G3VM-101BR1

2D:

3D:

3D:

3D:

生产中

G3VM-61ER2(TR05)

2D:

3D:

3D:

3D:

生产中

G3VM-61BR2

2D:

3D:

3D:

3D:

生产中

G3VM-61ER2

2D:

3D:

3D:

3D:

生产中

G3VM-31BR

2D:

3D:

3D:

3D:

生产中

< 1 >

样品申请


我们的工作人员将会在24小时之内(工作日)联系您

立即提交