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G3VM-□AR□、□DR□（高容量&低导通电阻型）

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G3VM-□AR□、□DR□（高容量&低导通电阻型）

小型DIP4针封装，实现与机械式继电器相当的低导通电阻、高容量开关的 MOS FET继电器 • 负载电压 20V/30V/40V/60V/100V/200V • 20V产品：连续负载电流 3A(最大) • 30V产品：连续负载电流4A(最大) • 40V产品：连续负载电流 2.5A(最大) • 60V产品：连续负载电流 3A(最大) • 100V产品：连续负载电流 2A(最大) • 200V产品：连续负载电流0.7A(最大)

所属分类:

RELAY/继电器

关键词：

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产品详情技术参考技术参考

相关下载

此网页提供了产品规格书。有关详细信息，请参阅产品规格书及其他相关文件。可以从“型号一览”中确认带有 CAD 数据的型号。

商品目录

数据类型

文件名

更新日期

G3VM-□AR□□DR□【目录】

目录 G3VM-□AR□□DR□

2025-09-25

产品文档

MOS FET继电器 INDEX【产品文档】

2025-09-25

用语说明

MOS FET继电器【用语说明】

2025-09-25

注意事项

MOS FET继电器【注意事项】

2025-09-25

选型指南

G3VM MOS FET RELAY【选型指南】

2025-09-25

技术解说

The解決 [MOS FET 继电器篇] 【技术解说】

2025-09-25

型号一览

刊载了各型号的相关信息。CAD数据、生产状态

型号

2D CAD

3D CAD

ECAD

RoHS证书

生产状况

G3VM-31AR

2D：

3D：

3D：

3D：

生产中

G3VM-31DR

2D：

3D：

3D：

3D：

生产中

G3VM-61AR1

2D：

3D：

3D：

3D：

生产中

G3VM-61DR1

2D：

3D：

3D：

3D：

生产中

G3VM-101AR1

2D：

3D：

3D：

3D：

生产中

G3VM-101DR1

2D：

3D：

3D：

3D：

生产中

G3VM-201AR

2D：

3D：

3D：

3D：

生产中

G3VM-201DR

2D：

3D：

3D：

3D：

生产中

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