G3VM-□CR□、□FR□（高容量＆低导通电阻型）
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G3VM-□CR□、□FR□（高容量＆低导通电阻型）

以DIP8针封装，实现高级别的高容量化 MOS FET继电器 • 接点构成 1a • 负载电压 60V/100V/200V/400V/600V • 60V产品 连续负载电流(最大)5A(10A) • 100V产品 连续负载电流(最大)3A(6A) • 200V产品 连续负载电流(最大)1.5A(3A) • 400V产品 连续负载电流(最大)0.4A(0.8A) • 600V产品 连续负载电流(最大)0.6A(1.2A)

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RELAY/继电器

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G3VM-□CR□、□FR□【目录 】

目录 G3VM-□CR□、□FR□

2025-09-25

产品文档

MOS FET继电器 INDEX【产品文档】

2025-09-25

用语说明

MOS FET继电器【用语说明】

2025-09-25

注意事项

MOS FET继电器【注意事项】

2025-09-25

选型指南

G3VM MOS FET RELAY【选型指南】

2025-09-25

技术解说

The解決 [MOS FET 继电器篇] 【技术解说】

2025-09-25

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