G3VM-31QR/61QR2/101QR1（高容量＆低导通电阻型）
小型S-VSON(L)封装 实现高容量开关的MOS FET继电器 • L2.0×W1.45×H1.3mm的S-VSON(L)小型封装，有助于节省基板空间 • 每个重量仅为0.01g，使基板更轻 • 负载电压 30V/60V/100V 30V产品：连续负载电流 1.5Ａ（最大） 60V产品：连续负载电流 1.0Ａ（最大） 100V产品：连续负载电流 0.65Ａ（最大） • 支持高温（使用环境温度：-40℃～110℃）
申请样品
资料下载
索取价格
较小级别的S-VSON(L)封装，带电压驱动型 MOS FET继电器(输入侧具有内部限流电阻) • 正向动作输入电压： 高/推荐值5 V(典型值)，低/推荐值2.5 V(典型值) • 负载电压：30 V/60 V • G3VM-31QVH/L： 最大连续负载电流：1.5 A • G3VM-61QV2H/L：最大连续负载电流：1.0 A • G3VM-61QVH: 最大连续负载电流：0.4 A • 高环境动作温度：-40°C～+110°C
G3VM-31QV2H/61QV3H/61QV4H/61QV3L（电压驱动型）
可以承受125°C高温的电压驱动MOS FET继电器 超小型S-VSON(L)封装 输入侧内置限流电阻 • 负载电压:30V/60V G3VM-31QV2H:最大连续负载电流:1.5A G3VM-61QV3H:最大连续负载电流:1.0A G3VM-61QV4H:最大连续负载电流:0.4A G3VM-61QV3L: 最大连续负载电流:0.4A • 正向动作输入电压:高/推荐值5V (典型值)，低/推荐值2.5V (典型值) • 高环境动作温度:-40°C~+125°C
G3VM-35□G□/351VY/401G□/401VY（通用型）
可支持多种用途的SOP4针封装通用 MOS FET继电器 • 接点结构 1a/1b • 负载电压 350V/400V
珠海市港源科技有限公司
自动化类产品，电子元器件，技术服务等全方位代理商。
联系我们
珠海市前山明珠南路3047号B栋二层02-031室
东莞市南城街道宏图路mic美时中心c栋307
微信
