G3VM-41GR8/61GR□/61VR（高容量&低导通电阻型）
SOP4针封装，实现与机械式继电器相当的低导 通电阻、高容量开关的MOS FET继电器 • 负载电压 40V/60V • 40V产品：连续负载电流 1A(最大) • 60V产品：连续负载电流 1.7A(最大)
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G3VM-41LR□【低端子间电容&低导通电阻型（低C×R）】
SSOP封装、实现低C×R的 MOS FET继电器 • 负载电压 40V • G3VM-41LR10：低C×R＝5.4pF·Ω、COFF(标准)＝0.45pF、RON(标准)＝12Ω • G3VM-41LR6：低C×R＝10pF·Ω、COFF(标准)＝1pF、RON(标准)＝10Ω • G3VM-41LR11：低C×R＝4.9pF·Ω、COFF(标准)＝0.7pF、RON(标准)＝7Ω • G3VM-41LR4：低C×R＝10pF·Ω、COFF(标准)＝5pF、RON(标准)＝2Ω • G3VM-41LR5：低C×R＝10pF·Ω、COFF(标准)＝10pF、RON(标准)＝1Ω
G3VM-41PR□/51PR【低端子间电容&低导通电阻型（低C×R）】
USOP封装、实现低C×R的MOS FET继 电器 • 负载电压 40V/50V • G3VM-41PR12：低C×R=4.5pF·Ω、COFF(标准)=0.3pF、RON(标准)=15Ω • G3VM-41PR6：低C×R=10pF·Ω、COFF(标准)=1pF、RON(标准)=10Ω • G3VM-41PR10：低C×R=5.4pF·Ω、COFF(标准)=0.45pF、RON(标准)=12Ω • G3VM-41PR11：低C×R=4.9pF·Ω、COFF(标准)=0.7pF、RON(标准)=7Ω • G3VM-41PR5：低C×R=10pF·Ω、COFF(标准)=10pF、RON(标准)=1Ω • G3VM-51PR：低C×R=12pF·Ω、COFF(标准)=12pF、RON(标准)=1Ω
G3VM-41QR10/61QR/61QR3【低端子间电容＆低导通电阻型 (低C×R)】
小型S-VSON（L）封装 实现低C×R的MOS FET继电器 • L2.0×W1.45×H1.3mm的S-VSON（L） 4针 小型封装，有助于节省基板空间 • 每个重量仅为0.01g，使基板更轻 • 负载电压 40V/60V • G3VM-41QR10：凭借低C×R=4.95pF˙Ω、COFF（标准）=0.45pF、RON（标准）=11Ω，在高频段具有出色的输出特性 • G3VM-61QR/61QR3：凭借低C×R=13.2pF˙Ω、COFF（标准）=12pF、RON（标准）=1.1Ω，在高频段具有出色的输出特性 • G3VM-61QR3：实现动作时间0.25ms（最大）、复位时间0.2ms（最大）的高速响应 • 支持高温（使用环境温度：-40℃～110℃）
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