G3VM-61UR□/81UR□/101UR（小型&高电压型）
小级别的封装型VSON 实现高负载电压的MOS FET继电器 • 负载电压 60V/80V/100V • G3VM-61UR1：低C×R=7pF·Ω、COFF(标准)=0.7pF、RON(标准)=10Ω • 高温对应(使用环境温度：-40℃～+110℃)
申请样品
资料下载
索取价格
有助于降低设备功耗的SOP4管脚封装 的高灵敏度MOS FET继电器 • 接点结构:1a • 负载电压 60/350V • 高灵敏度型 ※驱动电流2.0mA (推荐条件)
G3VM-61YR【低端子间电容&低导通电阻型 （低C×R)】
小型WSON封装 适用于高频信号开关的MOS FET继电器 • 0.8×2.0×1.45mm、重量仅为0.01g的小型轻量封装，有助于节省基板空间。 • 凭借低C×R=13.2pF ̇Ω、 COFF (标准) =12pF、RON (标准) =1.1Ω，在高频段具有出色的输出特性 • 可应对高温环境 (使用环境温度:-40°C~110°C)
DIP6针封装，实现与机械式继电器相当的 低导通电阻、大容量开关的 1b接点 MOS FET 继电器 • 接点结构 1b • 负载电压 60V • 连续负载电流(最大)1.2A(2.4A)
珠海市港源科技有限公司
自动化类产品，电子元器件，技术服务等全方位代理商。
联系我们
珠海市前山明珠南路3047号B栋二层02-031室
东莞市南城街道宏图路mic美时中心c栋307
微信
