G3VM-41UR□/51UR【低端子间电容＆低导通电阻型 (低C×R)】
安装面积为3.55mm2的紧凑型VSON产品阵容 实现低C×R的MOS FET继电器 • 负载电压 40V/50V • G3VM-41UR12：低C×R=4.5pF • Ω、COFF(标准)=0.3pF、RON(标准)=15Ω • G3VM-41UR10：低C×R=5.4pF • Ω、COFF(标准)=0.45pF、RON(标准)=12Ω • G3VM-41UR11：低C×R=4.9pF • Ω、COFF(标准)=0.7pF、RON(标准)=7Ω • G3VM-41UR4：低C×R=10pF • Ω、COFF(标准)=5pF、RON(标准)=2Ω • G3VM-51UR：低C×R=12pF • Ω、COFF(标准)=12pF、RON(标准)=1Ω • 高温对应(使用环境温度：-40℃～+110℃)
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G3VM-61HR/61HR1/61HR2（高容量＆低导通电阻型）
SOP6针封装，实现与机械式继电器相当的 低导通电阻、高容量开关的MOS FET继电器 • 负载电压 60V • 60V产品(61HR) ：连续负载电流(最大)2.3A(4.6A) • 60V产品(61HR1) ：连续负载电流(最大)3.3A(6.6A) • 60V产品(61HR2) ：连续负载电流(最大)4A(8A)
G3VM-61PR□/71PR/81PR/101PR（小型&高电压型）
USOP封装、实现高负载电压的 MOS FET继电器 • 负载电压 60V/75V/80V/100V • G3VM-61PR1：低C×R=7pF·Ω、COFF(标准)=0.7pF、RON(标准)=10Ω
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